Beryllium nitride thin film growth by reactive laser ablation G. Soto, J.A. Díaz, R. Machorro, A. Reyes-Serrato and W. de la Cruz, Materials letters 52, 29-33 (2001)

Modification of refractive index in silicon oxynitrides films during deposition R. Machorro, E.C. Samano, G.Soto, F. Villa and L. Cota-Araiza, Materials Letters 45, 47-50 (2000)

In situ ellipsometric characterization of SiNx films grown by laser ablation E.C. Samano, R. Machorro, G. Soto, and L. Cota, J. Appl. Phys. 84, 5296-5305 (1998)

Growth of SiC and SiC_xN_y films by pulsed laser ablation of SiC in Ar and N₂ enviroments G. Soto, E.C. Samano, R. Machorro and L. Cota, J. Vac. Sci. Technol., 16 (3), 1311-1315 (1998)

Effects of backround gas-plume interaction in the deposition of SiN_x films E.C. Samano, Roberto Machorro, G. Soto and L. Cota, Appl. Sur. Sci, 127-129, 1005-1010 (1998)

Electron spectroscopic identification of carbon species on CNx films G. Soto Materials Letters 49, 352-356 (2001)

Heat induced polymerization of a-CNx films grown by pulsed laser deposition CNx films G. Soto ??? xx, yyy (zzzz)

Discussion in the hardnening mechanism of carbon nitride materials G. Soto ??? xx, yyy (zzzz)

Epitaxial a-Be3N2 thin films grown on Si substrates bu reactive laser ablation G. Soto, J.A. Diaz, W. de la Cruz, O. Contreras, M. Moreno, and A. Reyes. ??? xx, yyy (zzzz)

Electronic structure of B-Be3N2 A. Reyes-Serrato, G. Soto, A. Gamietea , and M. Farias J. Phys. Chem. Solids 59, 743-746 (1998)

Monitoring of silicon nitride films grown by PLD using real time single photon-energy ellipsometry E.C. Samano, Roberto Machorro, G. Soto and L. Cota, Appl. Sur. Sci, 127-129, 1005-1010 (1998)

SiC_xN_y thin films alloys prepared by pulsed excimer laser deposition R. Machorro, E.C. Samano, G. Soto and L. Cota, Appl. Sur. Sci, 127-129, 564-568 (1998)

Estudios de homogeneidad y estructura en heteroestructuras Co-Ni/Si(199) preparadas por PLD M. García-Méndez, G- A- Hirata-Flores, M- H. Farias, F- Castillón, G. Beamson Superficies y Vacío, 12 1 (2001)

In situ monitoring and characterization of SiC interface formed in carbon films grown by pulsed laser deposition E.C. Samano, G. Soto, J. Valenzuela, and L. Cota J. Vac. Sci. Technol. A15(5), 2585 (1997)

Physical properties of Y2O3 : Eu luminescent films grown by MOCVD and laser ablation G.A. Hirata, J. McKittrick, M. Avalos-Borja, J. M. Siqueiros & D. Devlin, Applied Surface Science 113/114, 509-514

ZnO:Ga Thin Films by Pulsed Laser Deposition G.A. Hirata and J. McKittrick, Handbook of Thin Film ProcessTechnology, Supplement 98/2 Recipes for Optical Materials, X3.2.3, (IOP Publishing, Bristol)

Microstructural and Chemical Analysis of Laser Ablated Ba0.5Sr0.5TiO3 Films Studied by High Resolution TEM and EDS G.A. Hirata, J. McKittrick and S. Horiuchi, Acta Microscopia, 8, 40, (1999)
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España nanoindentación

Utah

Bruce, LA

INFRAESTRUCTURA (poner fotos)

Sistema de ablación láser que incluye

• Láser de excímero (Kr-F) Lambda Physik, modelo Lextra 200. Emite a 248 nm, pulsos de 30 nanosegundos de hasta 800 mJ.

• Sistema de ionización de gases por microondas con resonancia ciclotrónica (ECR) que permite introducir gases íonizados y atomizados durante el procesamiento de las películas

Caracterización in-situ

• Espectro elipsómetro Woolam, 40 canales de color, monitor en tiempo real de la evolución del proceso y caracterización de propiedades ópticas de 1.5 a 4.5 eV.

• Difracción de electrones de alta energía por reflexión (RHED), para estudio de estructura cristalina de las películas y sustratos.

• Espectrosopía electrónica Auger (AES) y de fotoemisón de rayos X (XPS), sistema Cameca-Mac 3, para estimar la composición química de la película.

Caracterización ex-situ

• Microscopía electrónica de transmisión de alta resolución (TEM) JEOL 2010.

• Espectroscopía de pérdidas de energía electrónica (EELS), caracterización química con alta resolución espacial.

• Difracción de rayos X (XRD) Philips X-pert para determinar la estrudctura cristalográfica.

• Microscopio electrónico de barrido (SEM) JEOL-5300, verá la morfología de los depósitos.

• Detector de rayos X (Kevex) para realizar análisis químico volumétrico (EDS).

• Microscopio de fuerza atómica (AFM) Digital, para ver la morfología de los depósitos.

• Nanoindentador Hisitron, que estudia la dureza de las películas delgadas.

• Cámara ICCD (Andor) para capturar la morfología del plasma a tiempos cortos.

• Reflectómetro de ángulo, polarización y longitud de onda variables.

• Microscopio óptico de reflexión y transmisión, marca Olympus, con interferometría de polarización.

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